类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
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基本功能
制造商产品型号：RV8C010UNHZGG2CR制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：1A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：470 毫欧 @ 500mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：40pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1W工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DFN1010-3WRV8C010UNHZGG2CR | ROHM代理全新原装现货以下产品与RV8C010UNHZGG2CR或许具有相似功能：
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