类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
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基本功能
制造商产品型号：RT1E040RPTR制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不適用於新設計FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：550mW（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-TSSTRT1E040RPTR | ROHM代理全新原装现货以下产品与RT1E040RPTR或许具有相似功能：
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