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    RS1E200BNTB
    RS1E200BNTB-ROHM代理全新原装现货
    制造：罗姆（ROHM）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
    MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
    RS1E200BNTB技术资料下载
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    市场上提供RS1E200BNTB原装现货的罗姆代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：RS1E200BNTB
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.9 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：59nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3W（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-HSOP
  • RS1E200BNTB | ROHM代理全新原装现货
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