类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号：RQ3E180AJTB制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 18A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 11mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：39nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4290pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta），30W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-HSMT（3.2x3）RQ3E180AJTB | ROHM代理全新原装现货以下产品与RQ3E180AJTB或许具有相似功能：
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
