类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
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基本功能
制造商产品型号：RQ3E120GNTB制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.8 毫欧 @ 12A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：590pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta），16W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-HSMT（3.2x3）RQ3E120GNTB | ROHM代理全新原装现货以下产品与RQ3E120GNTB或许具有相似功能：
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