类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号：RQ3E100ATTB制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），31A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.4mOhm @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：42nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-HSMT（3.2x3）RQ3E100ATTB | ROHM代理全新原装现货以下产品与RQ3E100ATTB或许具有相似功能：
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
ROHM
