类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
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基本功能
制造商产品型号：RQ1A060ZPTR制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：12V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 4.5VVgs（最大值）：±10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2800pF @ 6VFET功能：-功率耗散（最大值）：700mW（Ta）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TSMT8RQ1A060ZPTR | ROHM代理全新原装现货以下产品与RQ1A060ZPTR或许具有相似功能：
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