SiC（碳化硅）功率器件

与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。

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SiC（碳化硅）肖特基二极管 (39)

因为Total Capacitive Charge(Qc)小、可以降低开关损失,实现高速开关。而且，Si快速恢复二极管的trr会随着温度上升而增大，而SiC则可以维持大体一定的特性。

SiC（碳化硅）MOSFET (5)

开关时的差动放大电流原则上是没有的，所以可以高速运作，开关损失降低。 小尺寸芯片的导通电阻低，所以实现低容量丰门极消耗。 Si产品随温度的上升导通电阻上升2倍以上，SiC的导通电阻上升小，可以实现整机的小型化和节能化。

SiC（碳化硅）功率模块 (2)

内置的功率半导体元件全部由SiC构成，与Si(硅)材质的IGBT模块相比，可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET，与传统的Si-IGBT相比，在100KHｚ以上的高频环境下工作成为可能。