类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
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基本功能
制造商产品型号:RGW00TS65GC11制造商:Rohm Semiconductor描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):96A电流-集电极脉冲(Icm):200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A功率-最大值:254W开关能量:1.18mJ(开),960μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:141nC25°C时Td(开/关)值:52ns/180ns测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3RGW00TS65GC11 | ROHM代理全新原装现货
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