类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 650V 58A 197W TO-247N
IGBT 650V 58A 197W TO-247N
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基本功能
制造商产品型号:RGTH60TS65GC11制造商:Rohm Semiconductor描述:IGBT 650V 58A 197W TO-247N系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):58A电流-集电极脉冲(Icm):120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A功率-最大值:197W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:58nC25°C时Td(开/关)值:27ns/105ns测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3RGTH60TS65GC11 | ROHM代理全新原装现货
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