类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 650V 30A 133W TO-263S
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
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基本功能
制造商产品型号:RGT30NS65DGTL制造商:Rohm Semiconductor描述:IGBT 650V 30A 133W TO-263S系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):30A电流-集电极脉冲(Icm):45A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A功率-最大值:133W开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:32nC25°C时Td(开/关)值:18ns/64ns测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):55ns工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263ABRGT30NS65DGTL | ROHM代理全新原装现货
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