类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
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基本功能
制造商产品型号：R6009JNJGTL制造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 600V 9A LPTS系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：585 毫欧 @ 4.5A，15V不同Id时Vgs(th)（最大值）：7V @ 1.38mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 15VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：645pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：125W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：LPTSR6009JNJGTL | ROHM代理全新原装现货以下产品与R6009JNJGTL或许具有相似功能：
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