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罗姆（ROHM）
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QS8M12TCR
QS8M12TCR
制造：
罗姆（ROHM）
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
QS8M12TCR技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：QS8M12TCR
制造商：Rohm Semiconductor
描述：MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：不適用於新設計
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：4A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：42 毫欧 @ 4A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.4nC @ 5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：250pF @ 10V
功率-最大值：1.5W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-SMD，扁平引线
QS8M12TCR | ROHM代理全新原装现货
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