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罗姆（ROHM）
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QS8K11TCR
QS8K11TCR
制造：
罗姆（ROHM）
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
QS8K11TCR技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：QS8K11TCR
制造商：Rohm Semiconductor
描述：4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：-
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 3.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.3nC @ 5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：180pF @ 10V
功率-最大值：1.5W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-SMD，扁平引线
QS8K11TCR | ROHM代理全新原装现货
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