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罗姆（ROHM）
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HS8K1TB
HS8K1TB
制造：
罗姆（ROHM）
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：
30V NCH+NCH POWER MOSFET
30V NCH+NCH POWER MOSFET
HS8K1TB技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：HS8K1TB
制造商：Rohm Semiconductor
描述：30V NCH+NCH POWER MOSFET
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta），11A（Ta）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.6mOhm @ 10A，10V，11.8mOhm @ 11A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6nC，7.4nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：348pF，429pF @ 15V
功率-最大值：2W（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-UDFN
HS8K1TB | ROHM代理全新原装现货
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