类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
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基本功能
制造商产品型号：BSM600C12P3G201制造商：Rohm Semiconductor描述：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：600A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：+22V，-4V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：28000pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2460W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：模块BSM600C12P3G201 | ROHM代理全新原装现货以下产品与BSM600C12P3G201或许具有相似功能：
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