类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
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基本功能
制造商产品型号：BSM180D12P2E002制造商：Rohm Semiconductor描述：1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 个 N 通道（半桥）FET功能：碳化硅（SiC）漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）25°C时电流-连续漏极(Id)：204A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：18000pF @ 10V功率-最大值：1360W（Tc）工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：模块BSM180D12P2E002 | ROHM代理全新原装现货以下产品与BSM180D12P2E002或许具有相似功能：
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