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QJD1210010
QJD1210010
制造：
Powerex
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
封装：模块
QJD1210010技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：QJD1210010
制造商：Powerex Inc.
描述：MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 100A，20V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：500nC @ 20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10200pF @ 800V
功率-最大值：1080W
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：模块
QJD1210010 | Powerex代理全新原装现货
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