类别:FET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
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基本功能
制造商产品型号: MTM78E2B0LBF制造厂家名称: Panasonic Electronic Components(松下半导体)功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B系列: -FET 类型: 2 个 N 沟道(双)FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 20V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4A不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 25 毫欧 @ 2A,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1100pF @ 10V功率 - 最大值: 150mW安装类型: 表面贴装产品封装: 8-SMD,扁平引线供应商器件封装: W迷你型8-F1MTM78E2B0LBF | 松下半导体代理全新原装现货
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