类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 600V 23A 100W D2PAK
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号：SGW23N60UFDTM制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 23A 100W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：23A电流-集电极脉冲(Icm)：92A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，12A功率-最大值：100W开关能量：115μJ（开），135μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：49nC25°C时Td（开/关）值：17ns/60ns测试条件：300V，12A，23 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：60ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSGW23N60UFDTM | ON代理全新原装现货以下产品与SGW23N60UFDTM或许具有相似功能：
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