类别:晶体管 - IGBT - 模块
规格:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
封装:26-PowerDIP 模块(1,199,47,20mm)
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基本功能
制造商产品型号:NXH35C120L2C2S1G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:有源IGBT类型:-配置:三相反相器,带制动器电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):35A功率-最大值:20mW不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,35A电流-集电极截止(最大值):250μA不同?Vce时输入电容(Cies):8.33nF @ 20V输入:三相桥式整流器NTC热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:26-PowerDIP 模块(1,199,47,20mm)NXH35C120L2C2S1G | ON代理全新原装现货
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