类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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基本功能
制造商产品型号：NVMD6P02R2G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 个 P 沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.8A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：33 毫欧 @ 6.2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 16V功率-最大值：750mW工作温度：-安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）NVMD6P02R2G | ON代理全新原装现货以下产品与NVMD6P02R2G或许具有相似功能：
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