类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
封装:12-PowerWQFN
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基本功能
制造商产品型号:NTTFD9D0N06HLTWG制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),38A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):9 毫欧 @ 10A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):13.5nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):948pF @ 30V功率-最大值:1.7W(Ta),26W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:12-PowerWQFNNTTFD9D0N06HLTWG | ON代理全新原装现货
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