类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET P-CH 8V SOT23-3
器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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基本功能
制造商产品型号：NTR2101PT1G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 8V SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：8V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 3.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1173pF @ 4VFET功能：-功率耗散（最大值）：960mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3（TO-236）NTR2101PT1G | ON代理全新原装现货以下产品与NTR2101PT1G或许具有相似功能：
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