类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 1200V 60A 384W TO247
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：NGTB30N120IHRWG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1200V 60A 384W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，30A功率-最大值：384W开关能量：700μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：225nC25°C时Td（开/关）值：-/230ns测试条件：600V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3NGTB30N120IHRWG | ON代理全新原装现货以下产品与NGTB30N120IHRWG或许具有相似功能：
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