类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 600V 30A 117W TO220-3
封装：TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号：NGTB15N60EG制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：30A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，15A功率-最大值：117W开关能量：900μJ（开），300μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：80nC25°C时Td（开/关）值：78ns/130ns测试条件：400V，15A，22 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：270ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3NGTB15N60EG | ON代理全新原装现货以下产品与NGTB15N60EG或许具有相似功能：
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