类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 20A DPAK
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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基本功能
制造商产品型号:NGTB10N60R2DT4G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 600V 20A DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):20A电流-集电极脉冲(Icm):40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A功率-最大值:72W开关能量:412μJ(开),140μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:53nC25°C时Td(开/关)值:48ns/120ns测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V反向恢复时间(trr):90ns工作温度:175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63NGTB10N60R2DT4G | ON代理全新原装现货
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