类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 440V 20A 125W DPAK
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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基本功能
制造商产品型号:NGD8201NT4G制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 440V 20A 125W DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):440V电流-集电极(Ic)(最大值):20A电流-集电极脉冲(Icm):50A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 4.5V,20A功率-最大值:125W开关能量:-输入类型:逻辑栅极电荷:-25°C时Td(开/关)值:-/5μs测试条件:300V,9A,1 千欧,5V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63NGD8201NT4G | ON代理全新原装现货
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