类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 430V 18A 115W D2PAK
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号：NGB18N40CLBT4制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：430V电流-集电极(Ic)（最大值）：18A电流-集电极脉冲(Icm)：50A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 4V，15A功率-最大值：115W开关能量：-输入类型：逻辑栅极电荷：-25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABNGB18N40CLBT4 | ON代理全新原装现货以下产品与NGB18N40CLBT4或许具有相似功能：
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