类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
器件封装：I-PAK
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基本功能
制造商产品型号：NDD60N900U1-35G制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.7A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 2.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：360pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：74W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAKNDD60N900U1-35G | ON代理全新原装现货以下产品与NDD60N900U1-35G或许具有相似功能：
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