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安森美(ON)
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MJD112G
MJD112G
制造:
安森美(ON)
类别:
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
规格:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
MJD112G技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:MJD112G
制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
产品系列:-
零件状态:有源
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流-集电极(Ic)(最大值):2A
电压-集射极击穿(最大值):100V
不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):3V @ 40mA,4A
电流-集电极截止(最大值):20μA
不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V
功率-最大值:1.75W
频率-跃迁:25MHz
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
MJD112G | ON代理全新原装现货
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网络及电信应用
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