类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 14A 60W TO220AB
封装:TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号:HGTP7N60C3D制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 600V 14A 60W TO220AB系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):14A电流-集电极脉冲(Icm):56A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,7A功率-最大值:60W开关能量:165μJ(开),600μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:23nC25°C时Td(开/关)值:-测试条件:480V,7A,50欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-安装类型:通孔封装:TO-220-3HGTP7N60C3D | ON代理全新原装现货
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