类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 600V 54A 167W TO220AB
封装：TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号：HGTP12N60A4制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 54A 167W TO220AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：54A电流-集电极脉冲(Icm)：96A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，12A功率-最大值：167W开关能量：55μJ（开），50μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：78nC25°C时Td（开/关）值：17ns/96ns测试条件：390V，12A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3HGTP12N60A4 | ON代理全新原装现货以下产品与HGTP12N60A4或许具有相似功能：
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