类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
封装:TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号:HGTP10N120BN制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 1200V 35A 298W TO220AB系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:不適用於新設計IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):35A电流-集电极脉冲(Icm):80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A功率-最大值:298W开关能量:320μJ(开),800μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:100nC25°C时Td(开/关)值:23ns/165ns测试条件:960V,10A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3HGTP10N120BN | ON代理全新原装现货
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