类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 600V 40A 165W TO247
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：HGTG20N60B3D制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 40A 165W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：160A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A功率-最大值：165W开关能量：475μJ（开），1.05mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：80nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：55ns工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3HGTG20N60B3D | ON代理全新原装现货以下产品与HGTG20N60B3D或许具有相似功能：
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