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安森美(ON)
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FQP7N80C
FQP7N80C
制造:
安森美(ON)
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
器件封装:TO-220-3
FQP7N80C技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:FQP7N80C
制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:QFET?
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):800V
25°C时电流-连续漏极(Id):6.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.9 欧姆 @ 3.3A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1680pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):167W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-220-3
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