类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 200V 9A TO252
器件封装：TO-252，（D-Pak）
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基本功能
制造商产品型号：FQD12N20LTM-F085P制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：不適用於新設計FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：280 毫欧 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1080pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），55W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）FQD12N20LTM-F085P | ON代理全新原装现货以下产品与FQD12N20LTM-F085P或许具有相似功能：
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