基本功能
制造商产品型号：FQB8P10TM制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：530 毫欧 @ 4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：470pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），65W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK（TO-263AB）FQB8P10TM | ON代理全新原装现货
