类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
器件封装：D2PAK（TO-263AB）
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基本功能
制造商产品型号：FQB33N10LTM制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：QFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 16.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：40nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），127W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK（TO-263AB）FQB33N10LTM | ON代理全新原装现货以下产品与FQB33N10LTM或许具有相似功能：
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