类别:晶体管 - IGBT - 模块
规格:IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
封装:30-DIP 模块
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基本功能
制造商产品型号:FPF2C110BI07AS2制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT MODULE 650V 40A 300W F2系列:晶体管 - IGBT - 模块零件状态:有源IGBT类型:-配置:半桥电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):40A功率-最大值:300W不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A电流-集电极截止(最大值):250μA不同?Vce时输入电容(Cies):-输入:标准NTC热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 150°C安装类型:通孔封装:30-DIP 模块FPF2C110BI07AS2 | ON代理全新原装现货
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