类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 1200V 60A UFS
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：FGY60T120SQDN制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1200V 60A UFS系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：120A电流-集电极脉冲(Icm)：240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，60A功率-最大值：517W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：311nC25°C时Td（开/关）值：52ns/296ns测试条件：600V，60A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3FGY60T120SQDN | ON代理全新原装现货以下产品与FGY60T120SQDN或许具有相似功能：
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