类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 1000V 60A 180W TO264
封装：TO-264-3，TO-264AA
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基本功能
制造商产品型号：FGL60N100BNTD制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：NPT 和沟道电压-集射极击穿（最大值）：1000V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A功率-最大值：180W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：275nC25°C时Td（开/关）值：140ns/630ns测试条件：600V，60A，51 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：1.2μs工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AAFGL60N100BNTD | ON代理全新原装现货以下产品与FGL60N100BNTD或许具有相似功能：
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