类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：FGH75T65UPD制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 650V 150A 375W TO-247AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：150A电流-集电极脉冲(Icm)：225A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A功率-最大值：375W开关能量：2.85mJ（开），1.2mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：385nC25°C时Td（开/关）值：32ns/166ns测试条件：400V，75A，3 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：85ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3FGH75T65UPD | ON代理全新原装现货以下产品与FGH75T65UPD或许具有相似功能：
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