类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：FGH50T65UPD制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：不適用於新設計IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：100A电流-集电极脉冲(Icm)：150A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A功率-最大值：340W开关能量：2.7mJ（开），740μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：230nC25°C时Td（开/关）值：32ns/160ns测试条件：400V，50A，6 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：53ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3FGH50T65UPD | ON代理全新原装现货以下产品与FGH50T65UPD或许具有相似功能：
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