类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：FGH40T65SH-F155制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 650V 80A 268W TO-247-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，40A功率-最大值：268W开关能量：1.01mJ（开），297μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：72.2nC25°C时Td（开/关）值：19.2ns/65.6ns测试条件：400V，40A，6 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3FGH40T65SH-F155 | ON代理全新原装现货以下产品与FGH40T65SH-F155或许具有相似功能：
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