类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 6A 40W DPAK
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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基本功能
制造商产品型号:FGD3N60LSDTM制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 600V 6A 40W DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):6A电流-集电极脉冲(Icm):25A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.5V @ 10V,3A功率-最大值:40W开关能量:250μJ(开),1mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:12.5nC25°C时Td(开/关)值:40ns/600ns测试条件:480V,3A,470 欧姆,10V反向恢复时间(trr):234ns工作温度:-安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63FGD3N60LSDTM | ON代理全新原装现货
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