类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT NPT 600V 10A D2PAK
封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号:FGB5N60UNDF制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT NPT 600V 10A D2PAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:最後搶購IGBT类型:NPT电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):10A电流-集电极脉冲(Icm):15A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,5A功率-最大值:73.5W开关能量:80μJ(开),70μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:12.1nC25°C时Td(开/关)值:5.4ns/25.4ns测试条件:400V,5A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):35ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263ABFGB5N60UNDF | ON代理全新原装现货
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