类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 1200V 60A 339W TO3P
封装：TO-3P-3，SC-65-3
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基本功能
制造商产品型号：FGA30N120FTDTU制造商：ON安森美半导体（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 1200V 60A 339W TO3P系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：最後搶購IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：90A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A功率-最大值：339W开关能量：-输入类型：标准栅极电荷：208nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：-反向恢复时间(trr)：730ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3FGA30N120FTDTU | ON代理全新原装现货以下产品与FGA30N120FTDTU或许具有相似功能：
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