类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 1200V 50A 312W TO3P
封装:TO-3P-3,SC-65-3
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基本功能
制造商产品型号:FGA25N120ANTDTU-F109制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 1200V 50A 312W TO3P系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:NPT 和沟道电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):50A电流-集电极脉冲(Icm):90A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.65V @ 15V,50A功率-最大值:312W开关能量:4.1mJ(开),960μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:200nC25°C时Td(开/关)值:50ns/190ns测试条件:600V,25A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):350ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-3P-3,SC-65-3FGA25N120ANTDTU-F109 | ON代理全新原装现货
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