基本功能
制造商产品型号:FDMS4435BZ制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:PowerTrench?零件状态:有源FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),18A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 9A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):47nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2050pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),39W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:8-PQFN(5x6)FDMS4435BZ | ON代理全新原装现货